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    韩媒体：日本光刻胶大厂JSR将在韩国建立ArF产线
    2019-12-03
    韩媒报道，全球第一光刻胶大厂日本JSR计划将在韩国青州建立一条生产用于ArF的光刻胶产线，用于供货三星电子。日本JSR公司是全球最大的光刻胶生产厂商，占全球市场24%份额。由于日本的出口管制政策，韩国半导体产业，特别是三星电子在努力推动半导体原材料的本地化及供应量的多样性、稳定性，JSR自然不愿失去这一巨大的市场，因此推动在韩国本地建立产线，规避出口限令。ArF光刻是存储设备生产的主要手段，光刻胶
    智博会正式发布5G通信模组机器人
    2019-09-11
    据人民网消息显示，在2019世界数字经济大会暨第九届中国智慧城市与智能经济博览会上，中国移动浙江公司在宁波联合浙江智昌机器人集团发布全球首款集成5G通信模组的机器人，为智能制造、工业4.0、数字企业、未来工厂等行业场景应用带来革命性的变化。 据了解，此次宁波移动积极与浙江智昌机器人集团合作，率先联合完成了电弧焊机器人等先进制造产品的5G模组接入，是5G 智能制造领域的又一大创新成果落地。
    韩被删除出日本白名单将如何影响半导体行业？
    2019-08-13
    据媒体报道：日本从7月开始将三星电子和SK海力士在制造新一代主力产品——程序处理器(AP)或LSI系统半导体所用的193纳米以下光刻胶列入出口限制对象，这次又打算将两家公司现在的主力产品——D-RAM和NAND闪存半导体生产使用的245纳米以下光掩膜设备与线路板列入限制对象。 因此，韩国半导体业界纷纷担心，“日本的出口限制旨在扼杀韩国半
    HDMI禁止标注版本信息
    2019-07-17
    HDMI官方明确要求，禁止在产品上标注或宣传任何关于版本的信息，比如说电视是HDMI1.4的，或者线缆是HDMI2.0的。又因HDMI2.0并没有定义新的接口类型，用的和HDMI1.4标准一样，所以您很难从外观上看出来。只能通过电视的性能来看，HDMI1.4到HDMI2.0最主要的变更是3G带宽到6G带宽，简单的说就是从3840*2160p30Hz提升到了3840*2160p60Hz，一般您看到电
    摩尔定律放缓，芯片设计走向软件定义硬件
    2019-07-10
    在过去的十年里，这十年几乎等同于智能手机发展的十年，值得注意的一个发展趋势是，很多的硬件功能都可以通过软件的迭代加以实现，原本繁杂的硬件性能被更容易更新和修复的软件所替代，而更加先进的功能则被添加进去。这种近乎“长江后浪推前浪”般的替代趋势，在如今硬件的发展中也是显而易见的。 但是用软件的方式来实现硬件的功能，缺点也很明显，与传统的硬件实现功能来说，软件会比较缓慢，也会消
    芯片设计商ARM中止与华为的合作，涉及到ARM中国员工
    2019-07-10
    BBC日前从一份据称是ARM内部通知的文件中获悉，软银旗下的知名芯片设计商ARM可能也已被卷入了华为跟美国政府的纷争之中。据称ARM已在通知中要求自己的员工「中止一切（与华为）进行中的合同、支持授权及进行中的交涉」，这背后的原因正是美国商务部将华为列入实体名单的举动。ARM虽然是英国公司，但通知中指出其使用了「源于美国的技术」，因此美国政府的禁令对他们也依然有效。 按照通知中提到的要求，AR
    日本磁性技术控股公司投资中国
    2019-07-08
    日媒报道称，在中美贸易摩擦背景下，日本生产半导体材料和设备零部件的磁性技术控股公司选择继续面向中国开展高水平设备投资。 据《日本经济新闻》网站7月8日报道，在近期的财报说明会上，日本磁性技术控股公司高层贺贤汉（音译）对中国业务的前景充满自信。 报道称，这种自信体现在设备投资计划中。该公司计划将2019财年的设备投资额同比增加三成，增至480亿日元（约合30亿元人民币），创单年度的最高纪录。其中
    无锡中科芯：基于晶圆级芯片尺寸封装技术的制造平台已量产
    2019-06-28
    无锡日报报道，中科芯集成电路股份有限公司团队顺利攻克了晶圆级再布线及晶圆级凸点制备关键技术。 据报道，目前该公司基于晶圆级芯片尺寸封装技术的制造平台已经实现量产，为国内多家客户提供制造服务，补全了目前国内在该领域的空白。 中科芯集成电路股份有限公司是中国电子科技集团公司打造的高科技电子企业，拥有集成电路设计、制版、工艺、测试、封装、可靠性和应用等完整的产业链，产品以FPGASoC/MCU、抗辐照和
    华虹半导体官宣：第三代 90 纳米嵌入式闪存工艺创下最小尺寸纪录，已成功实现量产
    2019-06-28
    今日， 华虹半导体 官方宣布，其第三代90 纳米嵌入式 闪存 （90nm eFlash）工艺平台已成功实现量产。 据介绍，第三代90纳米嵌入式闪存工艺平台的Flash元胞尺寸较第二代工艺缩小近40%，创下了全球 晶圆 代工厂90纳米工艺节点嵌入式闪存技术的最小尺寸纪录。Flash IP更具面积优势，光罩层数进一步减少。同时，可靠性指标方面，可达到10万次擦写及25年数据保持能。 华虹半导体
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